中微公司取得真空吸盘相关专利，真空吸盘气槽与销孔重合助衬底温度均匀_市场解读

中微公司取得真空吸盘相关专利，真空吸盘气槽与销孔重合助衬底温度均匀

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2026-06-13 09:27:27

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6月13日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置”的专利，授权公告号CN224350749U，授权公告日为2026年6月12日。申请号为CN202520892567.8，申请公布日期为2026年6月12日，申请日期为2025年5月7日，发明人董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师徐雯琼、张静洁，分类号C23C16/458、H10P72/78。

专利摘要显示，一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置，真空吸盘包含：用于承载衬底的承载面，所述承载面上开设有气槽，所述气槽上设有真空吸孔，所述真空吸孔连通真空源，以通过所述气槽吸附所述衬底；用于容纳升降顶针的多个升降销孔，所述升降销孔和所述气槽在所述承载面上至少部分重合，以使所述气槽抽走所述升降销孔内的滞留气体。本实用新型提供的一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置中，用于容纳升降销通过的升降销孔和气槽在承载面上至少部分重合，升降销孔内聚集的气体会在气槽中周向扩散并与衬底背面接触，有助于增加衬底周向温度的分布均匀性。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目86次，财产线索方面有商标信息114条，专利信息1700条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号	专利名称	专利类型	法律状态	申请号	申请日期	公开(公告)号	公开(公告)日期	发明人
1	一种射频功率供应系统	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202511924458.0	2025-12-18	CN121879506A	2026-04-17	倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰
2	一种工艺顶盖及气相沉积设备	实用新型	授权	CN202521979639.9	2025-09-15	CN223458392U	2025-10-21	刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
3	晶圆托盘	外观专利	授权	CN202530511724.1	2025-08-28	CN309976984S	2026-05-12	代宇通、汪国元、黄稳、姜勇
4	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468204.7	2025-08-08	CN310024085S	2026-06-09	范光伟、周艳
5	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468218.9	2025-08-08	CN310024087S	2026-06-09	范光伟、周艳
6	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468041.2	2025-08-08	CN310024084S	2026-06-09	范光伟、周艳
7	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466397.2	2025-08-07	CN309910861S	2026-04-10	孟可、周艳、李开元
8	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466450.9	2025-08-07	CN309910862S	2026-04-10	朱永成
9	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466394.9	2025-08-07	CN309910860S	2026-04-10	周艳、李开元
10	接地环	外观专利	授权	CN202530466452.8	2025-08-07	CN310024083S	2026-06-09	周艳、李开元
11	一种气相沉积装置	实用新型	授权	CN202521091304.3	2025-05-29	CN224337694U	2026-06-09	何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊
12	一种聚焦环功率调节组件	实用新型	授权	CN202520964307.7	2025-05-15	CN224342273U	2026-06-09	田宁、叶如彬、范光伟
13	一种等离子体处理装置及其约束环组件	实用新型	授权	CN202520892625.7	2025-05-07	CN224342272U	2026-06-09	叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁
14	一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置	实用新型	授权	CN202520892567.8	2025-05-07	CN224350749U	2026-06-12	董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远
15	反应腔、高深宽比结构及其形成方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510550377.2	2025-04-28	CN120072612B	2025-07-25	尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
16	基片托盘	外观专利	授权	CN202530230568.1	2025-04-25	CN309730273S	2026-01-09	陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
17	基片托盘	外观专利	授权	CN202530230569.6	2025-04-25	CN309730274S	2026-01-09	陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
18	环组件及外延生长设备	实用新型	授权	CN202520811017.9	2025-04-25	CN224337799U	2026-06-09	张辉、姜银鑫、陆顺开
19	一种下电极组件及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520786770.7	2025-04-23	CN224342271U	2026-06-09	叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可
20	一种半导体处理设备及其气体喷淋头	实用新型	授权	CN202520786902.6	2025-04-23	CN224343720U	2026-06-09	程程、李雪子
21	电磁线圈组件及半导体加工设备	实用新型	授权	CN202520763154.X	2025-04-21	CN224232426U	2026-05-12	王亚军、周国祥
22	一种磁控管组件及磁控溅射设备	实用新型	授权	CN202520736456.8	2025-04-17	CN224337693U	2026-06-09	刘畅、刘恺民、王能语
23	一种基片处理系统	实用新型	授权	CN202520716379.X	2025-04-15	CN224267209U	2026-05-22	徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星
24	一种气相沉积设备及半导体处理系统	发明专利	公布	CN202510444720.5	2025-04-09	CN120830094A	2025-10-24	尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
25	一种升降驱动组件和半导体工艺设备	实用新型	授权	CN202520618963.1	2025-04-02	CN224020732U	2026-03-20	李琳、王许、朱永成、周艳
26	下电极组件及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520539349.6	2025-03-25	CN224123342U	2026-04-14	田宁、叶如彬、范光伟
27	一种掩膜结构形成方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293724.8	2025-03-12	CN121496378A	2026-02-10	罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
28	掩膜结构及其形成方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293826.X	2025-03-12	CN121496322A	2026-02-10	罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
29	一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293764.2	2025-03-12	CN121496321A	2026-02-10	尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
30	等离子体约束结构及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520402185.2	2025-03-07	CN224232637U	2026-05-12	叶如彬、马越、王洪青、范光伟
31	一种环组件及成膜装置	实用新型	授权	CN202520251908.3	2025-02-17	CN223780392U	2026-01-09	郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
32	一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510165658.6	2025-02-14	CN119673741B	2025-05-30	叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
33	一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520210442.2	2025-02-10	CN222637222U	2025-03-18	卢明、李博睿、倪图强
34	一种半导体加工设备及其控制方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510147729.X	2025-02-10	CN119601451B	2025-05-09	李博睿、卢明、倪图强
35	一种化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520172387.2	2025-01-24	CN223780352U	2026-01-09	杜冰洁、路今、姜银鑫
36	一种基座及化学气相沉积设备	实用新型	授权	CN202520166280.7	2025-01-23	CN224001504U	2026-03-17	梁轩、徐立、吕术亮
37	一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510098695.X	2025-01-21	CN119517722B	2025-05-13	田宁、叶如彬
38	一种隔离结构及化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520123428.9	2025-01-17	CN223780362U	2026-01-09	黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
39	缓冲装置	实用新型	授权	CN202520107111.6	2025-01-16	CN223780359U	2026-01-09	杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
40	一种化学气相沉积装置	发明专利	授权	CN202510073813.1	2025-01-16	CN119932527B	2026-04-10	张辉、姜银鑫、姜勇
41	一种化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520086318.X	2025-01-14	CN223780351U	2026-01-09	陆顺开、周子琛、张辉
42	一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202411976013.2	2024-12-31	CN119374033A	2025-01-28	徐志鹏、倪图强、连增迪
43	化学气相沉积设备	实用新型	授权	CN202423319091.3	2024-12-31	CN223780363U	2026-01-09	朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
44	一种晶圆承载组件及半导体处理设备	实用新型	授权	CN202423320135.4	2024-12-31	CN223899675U	2026-02-10	陈星棋
45	一种用于气柜可燃性测试的系统及方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202411980652.6	2024-12-30	CN119375415A	2025-01-28	王治平、宋飘、宋常征、权汉钊
46	一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202411969617.4	2024-12-30	CN119382671B	2025-09-12	徐志鹏、常健、王亚军
47	一种半导体工艺平台	实用新型	授权	CN202423296470.5	2024-12-30	CN223660196U	2025-12-12	陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊
48	一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法	发明专利	授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布	CN202411947571.6	2024-12-26	CN119372628B	2025-03-18	庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫
49	一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块	实用新型	授权	CN202423230256.X	2024-12-25	CN223524974U	2025-11-07	姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫
50	晶圆托盘	外观专利	授权	CN202430820667.0	2024-12-24	CN309541504S	2025-10-14	汪国元、代宇通、姜勇

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