7月10日，SK海力士首席执行官郭鲁正在公司登陆纳斯达克之际表示，2027年可能成为存储行业历史上供应最紧张的一年。

尽管SK海力士正在加快扩充产能，但存储需求持续增长，现有产能仍然受到制约。郭鲁正预计即使到了2030年以后，客户需求仍可能高于公司的供应能力。

SK海力士此次以美国存托凭证形式登陆纳斯达克，发行价为每份149美元，开盘价达到170美元，首日收于168.01美元，较发行价上涨约12.8%。此次发行募集资金约265亿美元（约合人民币1796亿元），认购倍数超过七倍。

面对人工智能带来的存储需求增长，SK集团正参与韩国政府推动的半导体扩产计划，并宣布将在韩国国内投入约1100万亿韩元（约合人民币4.97万亿元），用于扩大存储芯片及相关基础设施供给。

其中，SK海力士计划向京畿道龙仁半导体产业集群投入约600万亿韩元（约合人民币2.71万亿元），重点扩大DRAM和HBM产能。龙仁集群规划建设四座晶圆厂，首座工厂已于2025年开工，计划于2027年完成建设，主要生产包括HBM在内的下一代DRAM产品；整个龙仁产业集群的完工时间也由原定的2045年提前至2033年，加快产能释放。

SK海力士还计划在清州投入约100万亿韩元（约合人民币4520亿元），扩大NAND闪存及相关测试、封装能力，相关新增产能预计自2029年前后逐步投入使用。

此外，SK海力士计划再投入约400万亿韩元（约合人民币1.8万亿元），在韩国西南部建设新的半导体产业集群，规划建设两座存储芯片晶圆厂。

在美国，SK海力士则正于印第安纳州建设HBM先进封装和研发基地，计划投资约38.7亿美元（约合人民币262亿元），计划在2028年下半年投产HBM4E和HBM5。

郭鲁正透露，SK海力士还在评估在美国建设完整晶圆厂的可能性。目前海力士尚未作出决定。土地、电力、水资源、熟练工人和制造成本将是选址的主要条件，日本和东南亚也在考虑范围内。

值得注意的是，据《洛杉矶时报》7月8日援引麦肯锡、SEMI和美国国家科学基金会的最新研究称，到2030年，美国半导体行业的技术人才缺口可能达到15.7万人，其中约74%的空缺集中在制造岗位，工程人员将有约60%的缺口。报告认为，人才不足将严重威胁美国各地的半导体工厂建设，并限制为未来芯片生产。

高盛和摩根士丹利预计，2026年全球AI相关资本开支仍将达到约8000亿美元（约合人民币5.42万亿元），摩根士丹利还将2027年预测上调至1.12万亿美元（约合人民币7.59万亿元）。英伟达CEO黄仁勋6月也曾表示，从晶圆、封装到硅光子等环节的供应短缺可能持续数年，并称SK海力士是英伟达最大的内存合作伙伴。

虽然存储厂商积极扩充产能，但业内也有人保留对人工智能投资周期放缓的担忧。

7月初有消息称，Meta计划组建云计算业务，向外部客户出售暂时闲置的AI算力。部分市场也将其解读为前期算力建设可能超过内部实际需求，进而担心大型科技企业未来会放慢服务器和AI芯片采购速度。受此影响，7月1日至2日费城半导体指数累计下跌超过11%，美光科技两天跌幅超过15%。

存储芯片本就是随供需变化而波动的周期性行业。人工智能需求增长后，HBM定制化程度提高，长期采购协议也让厂商获得了更稳定的订单预期，在一定程度上延长了本轮景气周期。但长期订单并不意味着消除周期风险。随着三星、SK海力士和美光的新建产能在未来数年陆续释放，市场仍可能重新出现供给过剩，厂商也将随之承压。

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