芯导电子申请静电防护器件相关专利,减小静电防护器件电容,降低对信号干扰
创始人
2026-02-14 09:18:07
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2月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“静电防护器件结构及其制备方法”的专利。申请公布号为CN121531787A,申请号为CN202511571936.4,申请公布日期为2026年2月13日,申请日期为2025年10月30日,发明人吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼,专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师李晴,分类号H10D89/60。

专利摘要显示,本发明提供一种静电防护器件结构及其制备方法,在该器件结构中,通过在降容器件结构与衬底之间设置隔离埋层能够使得降容器件结构与衬底之间的寄生电容减小,从而使得该静电防护器件结构的总体电容减小,进而,降低其对被高速信号的干扰,以确保信号完整性。

芯导科技成立于2009年11月26日,于2021年12月1日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于上海。该公司是国内功率半导体领域的佼佼者,专注功率半导体研发与销售,技术实力突出,极具投资价值。

芯导科技主营业务为功率半导体的研发与销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件,涉及无线耳机、智能手机、小米概念等概念板块。

2025年,芯导科技营业收入达3.94亿元,行业排名第1,与行业平均数、中位数持平。主营业务中,功率器件3.61亿元占比47.81%,功率器件:TVS2.22亿元占比29.38%等。净利润为1.06亿元,同样行业排名第1,与行业平均数、中位数相同。

上海芯导电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1静电防护器件结构及其制备方法发明专利公布CN202511571936.42025-10-30CN121531787A2026-02-13吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼
2修调电路、电子设备及存储介质发明专利公布CN202511374985.92025-09-24CN121531996A2026-02-13朱同祥、符志岗、欧新华、袁琼
3屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511054162.82025-07-29CN120882048A2025-10-31魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼
4背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511000713.22025-07-18CN120854394A2025-10-28郭富饶、陈敏、欧新华、袁琼
5屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510992217.32025-07-17CN120751721A2025-10-03罗志永、陈敏、欧新华、袁琼
6高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510156412.22025-02-12CN119864781A2025-04-22周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
7高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备及系统实用新型授权CN202520225410.X2025-02-12CN223829034U2026-01-23周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
8电阻修调电路及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411985889.32024-12-31CN120074491A2025-05-30张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼
9一种静电保护器件的制备方法及结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411928637.72024-12-25CN119947145A2025-05-06郭富饶、陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼
10一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、公布CN202411941642.12024-12-25CN120072774B2025-10-31符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
11一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
12一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼
13一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411873260.X2024-12-18CN119907272A2025-04-29庞亚楠、陈敏、袁琼、史志扬、安原、高海杰、范莘培
14一种修调配置电路的版图结构、电子电路以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411801807.52024-12-09CN119940269A2025-05-06朱同祥、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
15恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411471899.52024-10-21CN119628610A2025-03-14周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
16SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
17SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
18恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411315519.92024-09-19CN119382676A2025-01-28周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
19内嵌MIM结构的ESD保护器件、制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411278936.02024-09-12CN119364859A2025-01-24陈敏、郭富饶、欧新华、袁琼、戴维
20一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法发明专利公布CN202411038270.12024-07-30CN118763074A2024-10-11陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼、戴维
21一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410535561.52024-04-29CN118630057A2024-09-10庞亚楠、陈敏、欧新华、史志扬、安原、高海杰
22浪涌防护芯片及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410299443.92024-03-15CN117977517A2024-05-03张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
23浪涌防护芯片及系统实用新型授权CN202420503847.02024-03-15CN222673914U2025-03-25张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥
24高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202410245652.52024-03-05CN117996710A2024-05-07周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼
25双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410141423.92024-01-31CN118263295A2024-06-28庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、安原
26TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311607585.92023-11-28CN117612942A2024-02-27傅钢杰、陈敏、欧新华、袁琼、庞亚楠
27沟槽栅SiCMOSFET器件结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311438222.72023-10-31CN117457739A2024-01-26庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、孙国臻、安原
28一种GaNHEMT器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311183046.72023-09-13CN119698022A2025-03-25孙国臻、陈敏、欧新华、袁琼
29一种双电源供电电路、电子电路及设备实用新型授权CN202322466822.62023-09-11CN220985374U2024-05-17吴晨雨、刘宗金、夏杰、欧新华、袁琼
30低电容MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311007344.02023-08-10CN117038734A2023-11-10李艳旭、张凯凯、陈敏、欧新华、袁琼
31SiCMOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310980949.12023-08-04CN117012828A2023-11-07庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、戴维
32基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备实用新型授权CN202322087945.92023-08-04CN220775393U2024-04-12张葳、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
33电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
34电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
35电荷泵预充电电路及电子设备实用新型授权CN202321994309.82023-07-26CN220475611U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
36电荷泵故障检测电路、充电插头、充电系统及电子设备实用新型授权CN202321987378.62023-07-26CN220473673U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
37电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
38电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏
39环境温度校准、测量装置以及系统实用新型授权CN202320377351.92023-03-01CN219657053U2023-09-08郁俊燕、陈敏、欧新华、袁琼、戴维、孙春明
40肖特基二极管及制作方法,以及电子设备及制作方法发明专利授权、公布CN202310046958.32023-01-31CN116072705B2025-08-26王莹、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、李艳旭
41SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法发明专利授权、公布CN202211711010.72022-12-29CN116053313B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、王莹、庞亚楠
42MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备发明专利授权、公布CN202211464258.82022-11-22CN115763548B2025-08-29李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明
43SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法发明专利授权、公布CN202211464292.52022-11-22CN115910793B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明
44高精度电流采集电路以及电子设备实用新型授权CN202222314438.X2022-08-31CN218240203U2023-01-06张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼
45高精度电流采集电路以及电子设备发明专利授权、公布CN202211055032.22022-08-31CN115267300B2025-07-22张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼
46公共交通扶手装置实用新型授权CN202221818212.72022-07-15CN219115302U2023-06-02吴晨雨、刘宗金、夏杰、吴佳、欧新华、袁琼
47GaN HEMT器件的栅极制作方法、栅极的结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202210809623.82022-07-11CN115332327A2022-11-11陈敏、戴维、欧新华、袁琼、符志岗、邱星福、朱同祥、孙春明
48一种TVS器件结构以及电子设备实用新型授权CN202221648372.12022-06-29CN218101272U2022-12-20刘宗金、夏杰、吴晨雨、吴佳、欧新华、袁琼
49开关频率控制电路发明专利实质审查的生效、公布CN202210550083.62022-05-20CN114977792A2022-08-30符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明
50开关频率控制电路实用新型授权CN202221216601.22022-05-20CN218648730U2023-03-17符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明

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