近日,国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示,深圳英嘉通半导体有限公司提交的“100V低压氮化镓增强型器件”布图设计正式获得国家知识产权局的专有权公告认定,相关权属信息已纳入官方公开的集成电路布图设计专有权公示序列。本次布图设计的获批,标志着深圳英嘉通半导体有限公司在低压氮化镓功率器件领域的自主研发成果获得官方知识产权层面的权威确认,将为其后续相关产品的市场化落地提供坚实的知识产权支撑。
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 发布时间 | 2026年9月4日 |
| 布图设计登记号 | BS.265573882 |
| 布图设计申请日 | 2026年4月30日 |
| 公告日期 | 2026年9月4日 |
| 公告号 | 99102 |
| 布图设计名称 | 100V低压氮化镓增强型器件 |
| 布图设计权利人 | 深圳英嘉通半导体有限公司 |
| 布图设计创作人 | 黄小蕾、柳永胜、朱梦景 |
| 布图设计创作完成日 | 2026年4月22日 |
本次相关信息的官方发布时间与公告日期保持一致,为2026年9月4日,对应的布图设计登记号为BS.265573882,该布图设计的正式提交申请日期为2026年4月30日,国家知识产权局以99102号公告对该专有权予以公开公示。本次获得公告的布图设计全称为“100V低压氮化镓增强型器件”,其专有权归属深圳英嘉通半导体有限公司所有,该布图设计由黄小蕾、柳永胜、朱梦景三人共同完成创作,创作完成的时间为2026年4月22日,早于正式提交申请的日期,完整呈现了该款氮化镓器件布图设计从研发落地到提交申请再到获得官方权属认定的全流程时间节点。
天眼查数据显示,深圳英嘉通半导体有限公司成立日期2017年6月29日,法定代表人陈燕,所属行业为批发业,企业类型为有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资),企业规模为小型,参保人数8人,注册资本1200万人民币,实缴资本1040万人民币,注册地址为深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道016号德维森大厦308。股东信息如下:
| 股东名称 | 持股比例 | 认缴出资额(万元) | 认缴出资日期 |
|---|---|---|---|
| 苏州英嘉通半导体有限公司 | 100% | 1200万元人民币 | 2017年6月29日 |
点评分析
深圳英嘉通半导体此次100V低压氮化镓增强型器件布图设计获国家知识产权局专有权认定,是其在该领域自主研发成果得到官方权威确权的重要标志。该专有权将为公司后续相关产品市场化落地筑牢知识产权护城河,夯实其在氮化镓功率器件赛道的技术竞争基础。
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