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(来源:快科技)
快科技7月11日消息,长鑫存储正在HBM赛道加速追赶国际巨头。目前该公司已推出HBM3样件,向华为等国内AI芯片厂商供货,正处于量产前的验证环节。
同时规划2027年实现12层HBM3E的量产。如果该计划顺利落地,长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。
长鑫存储在HBM3架构标准上已追平三星和SK海力士,中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。
行业消息人士透露,长鑫在技术上已具备HBM3量产能力,虽然良率仍是制约因素,但技术层面已不存在代差。此前长鑫采用跨代技术路径,从DDR4直接进入HBM3开发,大幅缩短了追赶时间。
产能扩张同步推进。长鑫存储在合肥运营两座12英寸DRAM工厂,北京一座,总晶圆产能约为每月30万片。上海新工厂计划从2027年起正式投产,投产后整体产能将达到现有水平的两倍以上。
长鑫将DRAM总产能的约20%投入HBM制造,月产能可达6万片晶圆。
市场份额持续攀升。据CFM闪存市场数据显示,2026年第一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元,环比增长115.1%,市场份额升至7.7%,排名全球第四。