晶合集成取得半导体测试相关专利,不同温度下保护MOS管对电阻测试及防护作用
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2026-05-17 09:52:56
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5月17日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及保护MOS管的选取方法”的专利,授权公告号CN121595927B,授权公告日为2026年5月15日。申请公布号为CN121595927A,申请号为CN202610122111.2,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2026年1月29日,发明人张立涛、方昕、姚子凤、郑启涛,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师傅梦婷,分类号G01R1/36、G01R27/02。

专利摘要显示,本申请提供了一种半导体测试结构及保护MOS管的选取方法,属于半导体技术领域,包括两个电阻、两个焊盘及保护MOS管,两个焊盘接收不同的电压,两个电阻串联后两端分别连接一个焊盘,保护MOS管的漏极连接在两个电阻之间,保护MOS管的源极和栅极均接地;在第一预定温度范围内,保护MOS管上的电流至少小于电阻上的电流的5%,在第二预定温度范围内,保护MOS管上的电流为电阻上的电流的70%~130%,第二预定温度范围的最小值大于第一预定温度范围的最大值。本申请在较小的温度下,保护MOS管不会影响电阻的正常测试,在较大的温度下,保护MOS管可以对电阻上的电流进行分流,避免电阻因过温而被烧伤,节约了成本。

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发与应用能力,为客户提供多元化晶圆代工服务。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,概念板块涵盖半导体产业、集成电路、半导体。

2025年,晶合集成营业收入为108.85亿元,在行业7家公司中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹公司为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,行业排名同样为第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕
2半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕
3一种半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
4半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕
5光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙
6电性测试结构及其测试方法发明专利公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
7伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春
8一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃
9黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明
10一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩
11一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春
12铝衬垫制备方法及半导体发明专利公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
13一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛
14半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀
15半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健
16套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平
17半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛
18LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪
19半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智
20电容结构及其制造方法发明专利公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
21半导体测试结构及方法发明专利公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春
22半导体测试结构及厚度测量方法发明专利公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋
23图像传感结构、传感器及制备方法发明专利公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦
24一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟
25机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清
26一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶
27一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮
28漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小
29一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲
30静电放电保护器件及其制作方法发明专利公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋
31金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28赵广、罗招龙
32阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28王维安、程洋、朱敏
33一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋
34晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610380634.72026-03-26CN121941088A2026-04-28方晓宇、刁勤超、郭宜婷
35半导体结构的制造方法和半导体结构发明专利公布CN202610380978.82026-03-26CN121968691A2026-05-01叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕
36金属互连层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610371023.62026-03-25CN121908875A2026-04-21运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤
37研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610371912.22026-03-25CN121928457A2026-04-28李颖超、金文祥、陈义元、彭萍、王伟祥
38一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610361379.12026-03-24CN121899493A2026-04-21张培、季雨
39MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610363491.92026-03-24CN121899472A2026-04-21牟田哲也
40半导体结构及半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610360205.32026-03-24CN121908661A2026-04-21李猛猛
41掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610345242.72026-03-20CN121888938A2026-04-17桑华煜、程洋、汪华
42半导体结构的制造方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610339571.02026-03-19CN121908612A2026-04-21运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲
43一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋
44静态存储器的最小工作电压的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610331131.02026-03-18CN121905249A2026-04-21田志锋
45一种半导体器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯
46一种金属场板的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安
47半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321343.02026-03-17CN121888607A2026-04-17康绍磊
48一种半导体器件及其制备方法、集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610320000.22026-03-17CN121908592A2026-04-21朱敏
49一种水溶性防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312126.52026-03-16CN121851828A2026-04-14葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙
50一种防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312129.92026-03-16CN121873627A2026-04-17葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩

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