韩国存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）宣布已于当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）的普渡大学霍洛威体育馆（Holloway Gymnasium），正式举行针对其存储器的综合基地奠基仪式。这标志着该公司在美国的首个高带宽存储器（HBM）先进封装生产基地正式动工，吸引美方政学界高度关注。

SK海力士表示，当天奠基仪式上宾客云集，印第安纳州州长迈克·布劳恩（Mike Braun）、美国参议员托德·扬（Todd Young），以及普渡大学校长米奇·丹尼尔斯（Mitch Daniels）皆亲自出席。SK集团方面，则由美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙，以及SK海力士首席执行官（CEO）郭鲁正等高层代表与会。

SK海力士首席执行官郭卢正在仪式上表示：“今天，这不仅仅是一个建设项目的开始。今天，SK海力士在美国开启了人工智能的新未来。在人工智能时代，仅仅生产最好的内存是不够的。我们还必须为客户的人工智能系统开发定制化的内存解决方案，并通过先进的封装技术，最大限度地提升内存、人工智能芯片以及整个系统的性能。”

SK海力士位于印第安纳州的这座HMB厂的总投资额预计将超过40亿美元。工厂预定于2028年10月完成无尘室建设，并计划于2029年下半年正式启动新一代HBM的量产。随着未来生产全面步入正轨，该基地有望发展成为拥有1,000余名员工的美国核心HBM生产基地。

该工厂的运作特点在于其“双边紧密连接体系”，SK海力士指出，未来在韩国本土生产的先进晶圆将运送至印第安纳，在当地进行先进封装与测试，随后将当地的美国制造HBM产品直接供应给当地的合作客户。此外，工厂也将与生产线同步建造先进封装研发测试设备，让SK海力士与客户、大学及商业合作伙伴共同研发下一代封装技术，并快速推进原型的试制与性能验证。

SK海力士强调，该投资计划展现了强大的供应链磁吸效应。目前已有超过100家涵盖半导体材料、零件及设备等领域的合作伙伴，正就进驻西拉斐特的事宜进行洽谈。此项供应链的集群效应不仅能稳定印第安纳晶圆厂的运营，预计还将进一步夯实当地AI产业生态系统。SK海力士估计，透过此生产基地的建设与运营，将与美国本土企业合作共同创造约7,000个直接与间接的就业机会。

据美国商务部一位官员在仪式上透露，美国政府已根据“芯片与科学法案”（CHIPS）向SK海力士拨款4.58亿美元，用于支持该先进封装和研发项目。

另外，在奠基仪式当天，SK海力士亦与普渡大学正式签署了在先进封装研发领域的合作谅解备忘录（MOU）。根据MOU内容，双方将加强学术与研发合作，共同研究包括HBM在内的下一代系统集成与先进封装技术。同时，SK海力士计划进一步扩大与美国中西部地区主要大学及研究机构的合作，积极培育并引进全球顶尖的半导体产业人才。

编辑：芯智讯-浪客剑