来源：21世纪经济报道

存储芯片涨价传闻不断！

据最新消息，瑞银日前在其最新发布的报告中大幅上调存储价格预期，该行预计第三季度DDR合约价格将环比上涨32%，第四季度环比上涨18%。此前，瑞银预测的环比涨幅分别为17%和12%。

此外，瑞银认为，价格上涨将带动内存行业在2026年实现9920亿美元（约合人民币6.73万亿元）营收。该行预计，DRAM行业供需紧张将至少持续至2028年上半年。

而在昨日（7月3日），有韩国媒体报道称，三星电子计划将第三季度DRAM（动态随机存取存储器）的平均售价上调最高20%。另据第一财经今日（7月4日）上午报道，有消费电子终端厂商称，已收到三星关于DRAM提价的口头通知。

在产品供不应求的背景下，存储芯片巨头们正抓紧扩产。其中，美光科技斥资约93亿美元扩建日本西部芯片工厂，该公司此前还在美国纽约州和爱达荷州规划了庞大的全新晶圆厂建设。

此外，三星电子计划在韩国西南城市光州建设两座存储芯片制造工厂，SK海力士将在全罗道周边地区建设两座晶圆厂，两家巨头的合计投资规模达800万亿韩元。

瑞银大幅上调DRAM价格预测

最近几天，存储芯片行业涨价传闻密集传出，引发三星电子、SK海力士、铠侠等存储芯片巨头股价昨日大涨。其中，三星电子涨超8%，铠侠涨超9%，SK海力士涨超10%。

瑞银最新行业调研显示，2026年下半年，存储芯片价格上行空间进一步扩大。瑞银表示，基于行业研究，将上调DDR合约价格预期，预计2026年第三季度环比上涨32%（此前预期上涨17%），第四季度环比上涨18%（此前预期上涨12%）。

NAND方面，瑞银目前预计2026年第三季度价格环比上涨30%（此前预期上涨17%），第四季度环比上涨12%。

分析指出，DRAM（动态随机存取存储器）行业供需将至少持续紧张至2028年上半年。2027年芯片需求预计增长约36.2%，明显高于供给增长的19.3%，缺口难以弥合，供需失衡程度达到过去30年罕见水平。若不考虑下游库存回补，供应短缺比率将从2026年的8.1%恶化至2027年的13.6%。

综合来看，瑞银认为价格上涨将带动内存行业在2026年实现9920亿美元营收，2027年实现1.76万亿美元营收。瑞银表示，价格上涨将持续推动超大规模厂商进入资本市场为其项目融资。

7月3日，有消息称三星电子拟将今年第三季度DRAM的平均售价环比上一季度提高20%。

据第一财经今日报道，一家消费电子终端厂商负责人向记者表示，这是真的，今年6月三星已与他们洽谈，现已收到三星关于DRAM提价的口头通知。“上游部品大幅涨价会传导至整机终端售价上，这会遏制一定的市场需求，但毕竟现在消费电子产品整体价格不高，即使涨价预计也不太会影响用户选购。”上述消费电子终端厂商负责人说。

另一位业内资深人士也表示，三星拟三季度DRAM提价20%的消息属实，三星已经通过口头报价通知了部分客户。

三大巨头 扩产

据彭博社消息，美光科技于今日举行日本西部工厂扩建奠基仪式，该扩建项目投资1.5万亿日元（约合93亿美元），专注量产高端存储芯片。

这家总部位于美国爱达荷州博伊西的公司正在广岛建设该设施，以生产高带宽内存等芯片，这些芯片对英伟达等AI处理器至关重要，预计将于2028年夏季左右开始出货。日本经济产业省已拨款最高5000亿日元用于分摊该项目的部分成本。

本次扩建是美光全球产能扩张布局的一部分，用以应对AI行业激增的芯片需求。美光正在美国爱达荷州博伊西建设两座尖端晶圆厂，并于今年1月在纽约州锡拉丘兹市郊举行千亿美元生产基地奠基仪式，以此兑现扩大美国本土DRAM芯片产能的承诺。

近日，全球最大存储芯片制造商三星电子宣布计划在韩国西南城市光州建设两座存储芯片制造工厂，第二大存储芯片制造商SK海力士则表示将在韩国全罗道周边地区建设两座晶圆厂，两家公司的合计投资规模达800万亿韩元（约合5223亿美元）。

这是韩国政府“三大超级工程”倡议的一部分，该倡议设想以半导体、实体人工智能（AI）和AI数据中心为驱动实现转型，总投资规模达4755万亿韩元。

据韩联社报道，韩国总统李在明计划于下周主持召开会议，审查该国西南地区超大型半导体生产基地项目的进展情况。此次会议将是投资计划公布后的首次战略审查会议，李在明已承诺亲自督战，强调加快项目实施的重要性。

另据外媒报道，SK海力士将于7月6日启动美国存托凭证（ADR）的簿记建档流程，并于7月9日确定最终发行价，随后于次日在纳斯达克上市。

SK海力士计划通过在美国股市上市筹集最多294亿美元。据知情人士透露，SK海力士正考虑将其在美国上市募集资金的约0.5%支付给参与该交易的银行。报道称，这家韩国芯片制造商已表示可能发行不超过其流通股2.5%的股份，尽管最终发行规模尚未确定。报道补充称，SK海力士还可能在基础承销费之外支付酌情奖金。

责编：王璐璐