中欣晶圆申请LPCVD工艺相关专利，分阶沉积优化LPCVD均一性及膜层性能
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2026-02-01 10:13:05
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2月1日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺”的专利。申请公布号为CN121428520A，申请号为CN202511586213.1，申请公布日期为2026年1月30日，申请日期为2025年10月31日，发明人赵祥峰，专利代理机构杭州九洲专利事务所有限公司，专利代理师姚旺波，分类号C23C16/44、C23C16/455。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及基于硅烷‑氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺，包括：低温成核期：温度：530℃，压力：150 Pa，SiH4/N2=1:8~10，抑制硅烷快速分解，形成均匀成核层；中温过渡期：温度：550‑580℃，压力：70 Pa，SiH4/N2=1:5，梯度升温促进致密化，氮气稀释减缓边缘过沉积，平衡热场梯度；高温稳定期：温度：650℃，压力：20‑30 Pa，SiH4/N2=1:2，期间插入纯氮气脉冲，清除副产物并打破边界层堆积；降温平衡期：温度：580‑600℃，压力：45 Pa，SiH4/N2=1:3，缓慢降温平衡热应力，避免膜层开裂，提升界面结合力。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息404条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
2改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
3硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
4一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
5一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
6一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰
7一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威
8基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
9基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
10一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞
11一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉
12基于自动化监控的单面抛光机台抛头寿命管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407269.62025-09-29CN121290170A2026-01-09郭天天
13一种基于差异化修整抛光布工艺优化方法发明专利公布CN202511407270.92025-09-29CN121374293A2026-01-23姚胜平
14硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511399762.82025-09-28CN121310868A2026-01-09方一栋、缪燃、唐鸿钦
15硅片研磨设备的定盘清洁与维护方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344562.22025-09-19CN121156902A2025-12-19王小明
16CMP抛光布更换定位导向器及气泡排除辅助夹具发明专利实质审查的生效、公布CN202511296333.82025-09-11CN121179349A2025-12-23陈彬
17具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法发明专利公布CN202511304565.32025-09-11CN121407221A2026-01-27郭体强、齐旭东
18AMAT常压外延炉腔体的正压氦检设备及方法发明专利公布CN202511296263.62025-09-11CN121409526A2026-01-27辜勇
19硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224626.52025-08-29CN121171927A2025-12-19唐鸿钦、杨自立、罗敏杰
20在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224618.02025-08-29CN121161264A2025-12-19刘文涛、李赛武
21无尘室用适应多规格上料的升降式防震动工具车及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511215435.22025-08-28CN121083591A2025-12-09田飞、杨自立
22改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511143738.82025-08-15CN121171964A2025-12-19郑斌
23半导体硅片检测人员智能培训与动态知识管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511102792.82025-08-07CN121190261A2025-12-23董盼盼、罗敏杰
24半导体硅片返抛品全流程智能管理方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511102795.12025-08-07CN121189357A2025-12-23李叶梅、罗敏杰
25针对磨片机的分体式清洁系统及工艺发明专利公布CN202511050050.52025-07-29CN120755109A2025-10-10苏鹏辉
26用于晶圆加工的BSD实验装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511050080.62025-07-29CN121004547A2025-11-25魏朋朋
27硅片装载泡沫箱开箱工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511017736.42025-07-23CN120793342A2025-10-17杨自立、罗敏杰
28一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510980373.82025-07-16CN121054480A2025-12-02缪燃
29一种针对硅片抛光机的销环柱自动清理系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510973791.42025-07-15CN120734883A2025-10-03王方立
30一种晶圆片的检测系统及方法发明专利公布CN202510973721.92025-07-15CN120992647A2025-11-21李鹏、包亚平
31一种快速校准马波斯气压计的校正工具发明专利实质审查的生效、公布CN202510975826.82025-07-15CN121048825A2025-12-02石建群
32一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510968442.32025-07-14CN121046812A2025-12-02陈珈璐、高洪涛、何荣
33一种提高双面研削机清洗部清洗效果以及效率的结构和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510961337.72025-07-14CN121054525A2025-12-02崔银昊
34一种用于改善抛光片平坦度和划伤的方法发明专利公布CN202510961110.22025-07-12CN120772953A2025-10-14张文军
35研磨桶颗粒聚集的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950873.72025-07-10CN120791624A2025-10-17孙贵昌
36晶圆抛光机回收箱的改造挂件及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950876.02025-07-10CN120862570A2025-10-31张亚生、孙月超
37一种可视化的自动化仓库点位调整治具及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510930369.02025-07-07CN120622092A2025-09-12钱鹏飞
38降低硅片边缘粗糙度的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510860222.92025-06-25CN120619986A2025-09-12张森阳
39单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202510836649.52025-06-21CN120844203A2025-10-28王云峰、蔡来强、焦芬芬
40一种降低晶圆体金属的加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510823152.X2025-06-19CN120645044A2025-09-16孙若力
41防止重掺气孔产品流出的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510828853.22025-06-19CN120801345A2025-10-17康海洋、吴瑶、张晨阳
42一种改善硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813030.22025-06-18CN120591749A2025-09-05焦芬芬
43一种提升12寸晶圆19nm颗粒水平的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813029.X2025-06-18CN120600627A2025-09-05陈坚
44高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510783876.62025-06-12CN120878544A2025-10-31张沛
45对12寸硅片边缘抛光的研磨鼓布快速替换装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510719344.62025-05-30CN120439181A2025-08-08陈彬
46一种针对lpcvd尾气无害化处理装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510719341.22025-05-30CN120679339A2025-09-23平铁卫
47硅材料高平坦度CMP的加工方式发明专利实质审查的生效、公布CN202510673038.32025-05-23CN120715794A2025-09-30徐威楠
48一种晶圆制备中晶圆陶瓷夹持手臂组件结构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510538146.X2025-04-27CN120565487A2025-08-29方涛
49针对滑移线与孪晶的鉴别分析设备及区分方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510538145.52025-04-27CN120609852A2025-09-09何珍碧
50提高抛光硅片体铁检测精度的SPV前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510479389.02025-04-16CN120413412A2025-08-01王鸣

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