晶合集成申请晶体管相关专利,该方法改善晶体管器件性能
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2026-08-30 09:14:03
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8月30日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“晶体管制备方法、晶体管及电子设备”的专利。申请公布号为CN122662269A,申请号为CN202611164387.3,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2026年8月3日,发明人张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪,专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司,专利代理师杨明莉,分类号H10D84/01、H10D84/03、H10D84/83、H10D30/60、H10D30/01。

专利摘要显示,本申请提供一种晶体管制备方法、晶体管及电子设备,制备方法包括:提供衬底;衬底上包括沿平行衬底第一表面的第一方向间隔排列的第一栅极,以及位于相邻第一栅极之间,间隔设置的多个第二栅极;衬底内包括与第一栅极一对一设置的隔离结构;以第一栅极为掩模,去除部分隔离结构,以形成凹槽;凹槽的截面呈直角梯形,其开口尺寸沿远离第一栅极的第二方向逐渐减小;形成填满凹槽,顶面与衬底顶面齐平的外延层后,于第一栅极、第二栅极之间的衬底内形成间隔排列的西格玛型锗硅层;其中,凹槽的直角边长与锗硅层的宽度、尖端深度,以及节距宽度相关。能够解决嵌入式锗硅工艺中器件结构对称性差、虚接等问题,从而改善器件性能。

晶合集成是国内领先的专注于晶圆代工的集成电路制造企业,依托特色工艺技术壁垒深耕显示驱动芯片等领域,2015年5月19日成立,2023年5月5日于上海证券交易所上市,注册地与办公地均位于安徽省合肥市。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务,聚焦行业先进工艺的研发与落地,可为客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,同时布局MCU概念、集成电路、汽车芯片三大热门概念板块。

2026年上半年,晶合集成实现营业收入59.57亿元,在所属7家同赛道企业中排名第4,当期行业营收第一名中芯国际为386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元,行业平均营收93.45亿元,公司营收与行业中位数持平;当期归母净利润2.22亿元,同样在7家同赛道企业中位列第4,行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子为26.75亿元,行业平均净利润14.11亿元,公司净利润也与行业中位数持平。业务结构方面,集成电路相关业务贡献营收57.66亿元,占总营收比重达96.80%,其他补充类业务营收1.91亿元,占比3.20%。

指标类别 具体指标 晶合集成当期数值 行业排名/总样本数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营收维度 2026年上半年营业收入 59.57亿元 4/7 第一名中芯国际386.35亿元、第二名华虹宏力95.74亿元 93.45亿元 59.57亿元
利润维度 2026年上半年净利润 2.22亿元 4/7 第一名中芯国际64.39亿元、第二名赛微电子26.75亿元 14.11亿元 2.22亿元
业务构成 集成电路业务营收占比 96.80% - - - -
业务构成 其他补充业务营收占比 3.20% - - - -

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪
2半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣
3一种Fin FET器件及其制造方法发明专利公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍
4一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉
5基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘
6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺
7一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋
8基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕
9半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕
10半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡
11半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙
12埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强
13离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚
14对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏
15光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙
16半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌
17半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定
18半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛
19一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新
20图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦
21对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉
22一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹
23面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒
24晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞
25一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华
26测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健
27一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙
28半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋
29一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛
30一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕
31半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正
32半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕
33一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒
34一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强
35测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞
36曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞
37晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲
38光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康
39半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明
40一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰
41一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳
42半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃
43一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛
44一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成
45一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙
46半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕
47半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰
48文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞
49一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿
50一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康

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