8月22日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“一种支持多外设同时请求的DMA系统及其实现方法”的专利，授权公告号CN117435531B，授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN117435531A，申请号为CN202311462891.8，申请公布日期为2026年8月21日，申请日期为2023年11月6日，发明人于超，专利代理机构上海硕力知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师童素珠，分类号G06F13/28。

专利摘要显示，本申请公开了一种支持多外设同时请求的DMA系统及其实现方法，其中所述DMA系统具体包括：存储器访问模块，用于通道仲裁及通道传输；通道匹配模块，用于接收外设的请求，置位对应通道的请求使能和对应外设总线的时钟控制信号；所述通道匹配模块，还用于接收由存储器访问模块反馈的第一响应信号，并将所述第一响应信号转换为宽度能被所述目标外设采样的第二响应信号；对来自所述存储器访问模块的不同通道的响应信号正确映射到不同外设。以便所述目标外设接收所述第二响应信号后，清零所述请求信号。本申请的DMA系统可以支持不同工作频率的多个外设同时请求，并产生正确的响应信号。

天眼查数据显示，普冉半导体（上海）股份有限公司成立日期2016年1月4日，法定代表人王楠，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本14804.9102万人民币，实缴资本14870.3553万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄8号地下1层、地下2层、地下3层、2层、3层、4层、5层。普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息226条，拥有行政许可7个。

普冉半导体（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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