8月18日消息,国家知识产权局信息显示,湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液”的专利,授权公告号CN117568037B,授权公告日为2026年8月14日。申请公布号为CN117568037A,申请号为CN202311321210.6,申请公布日期为2026年8月14日,申请日期为2023年10月12日,发明人武昊冉、张庭、贺兆波、李金航、许真、董攀飞、叶瑞、徐子豪、王巍,专利代理机构湖北三峡专利代理事务所(普通合伙),专利代理师成钢,分类号C09K13/06、C09K13/08。
专利摘要显示,本发明提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液,该蚀刻液按质量百分数计,包括以下成分:3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂,余量为超纯水;其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物。通过三胺类的有机胺小分子与长碳链大分子活性剂的复配使用,蚀刻液的表面张力低、对硅的浸润性好、不易起泡,该蚀刻液将深沟槽内的氧化硅蚀刻完全且无残留。更重要的是,对于光刻胶覆盖下氧化硅侧向蚀刻抑制作用明显,显著降低光刻胶下氧化硅的侧向腐蚀,可以有效提高器件生产的良率。
兴福电子是国内湿电子化学品领域领先企业,专注电子级湿电子化学品研发生产,拥有全产业链配套优势。公司成立于2008年11月14日,2025年1月22日登陆上海证券交易所,注册地与办公地均位于湖北省宜昌市。
公司主营业务为湿电子化学品的研发、生产和销售,核心产品覆盖电子级磷酸、电子级硫酸等通用湿电子化学品,以及蚀刻液、清洗剂、显影液等功能湿电子化学品,申万行业分类隶属于电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ,同时布局光刻胶、碳基半导体、电子化学品相关概念赛道。
2026年上半年,兴福电子实现营业收入9.66亿元,在7家同行业可比公司中排名第3,低于行业平均13亿元、略高于行业中位数9.34亿元,同期行业营收前两位分别为国瓷材料25.13亿元、光华科技(维权)22.48亿元;营收结构中通用湿电子化学品贡献6.48亿元,占比67.03%,功能湿电子化学品贡献1.79亿元,占比18.53%,其余业务板块合计占比14.44%。当期公司实现净利润1.2亿元,位列行业第2,仅次于国瓷材料的3.86亿元,净利润水平略高于行业平均数1.18亿元,大幅高于行业中位数7030.2万元。
| 业务板块 | 营收金额 | 营收占比 |
|---|---|---|
| 通用湿电子化学品 | 6.48亿元 | 67.03% |
| 功能湿电子化学品 | 1.79亿元 | 18.53% |
| 其他 | 1.04亿元 | 10.81% |
| 湿电子化学品回收综合利用业务 | 2255.85万元 | 2.33% |
| 大宗气站 | 1069.3万元 | 1.11% |
| 代工业务 | 160.9万元 | 0.17% |
| 电子特气 | 19.65万元 | 0.02% |
湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 化学桶倾倒测试与码垛装置以及倾倒测试方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610399547.6 | 2026-03-30 | CN122426560A | 2026-07-21 | 田广礼、李淳、黄安祥、李坤、谢鹏 |
| 2 | 一种电子级异丙醇废液的回收精制方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610403221.6 | 2026-03-30 | CN122482927A | 2026-07-31 | 李少平、李超锋、吴清鹏、刘尚文、杨着 |
| 3 | 一种高纯电子级红磷的制备方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610393047.1 | 2026-03-27 | CN122399729A | 2026-07-17 | 贺兆波、曾靖淞、万富强、李淳 |
| 4 | 一种降低半导体显示金属电极关键尺寸损失的蚀刻液及蚀刻方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610382207.2 | 2026-03-26 | CN122405273A | 2026-07-17 | 管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波 |
| 5 | 一种半导体显示金属叠层选择性可控的蚀刻液及蚀刻方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610382204.9 | 2026-03-26 | CN122483793A | 2026-07-31 | 管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波 |
| 6 | 一种不损伤Si衬底的碱性半导体清洗剂 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610295436.0 | 2026-03-11 | CN122381877A | 2026-07-14 | 贺兆波、谢建、王亮、李红云、李盛亮 |
| 7 | 一种对低铟IGZO兼容的AlO碱性蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610295434.1 | 2026-03-11 | CN122381816A | 2026-07-14 | 谢建、王亮、李红云、李盛亮、叶瑞 |
| 8 | 一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511994651.1 | 2025-12-26 | CN121668812A | 2026-03-17 | 李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳 |
| 9 | 低颗粒度蚀刻后清洗剂的生产方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511945055.4 | 2025-12-22 | CN121930926A | 2026-04-28 | 吴政、王亮、谢建、孟牧麟 |
| 10 | 一种3 D NAND深孔结构蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511944347.6 | 2025-12-22 | CN121930835A | 2026-04-28 | 贺兆波、李飞、冯凯、班昌胜 |
| 11 | 一种抗反射层蚀刻后残留物的清洗方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511944787.1 | 2025-12-22 | CN122121572A | 2026-05-29 | 贺兆波、吴政、王亮、谢建 |
| 12 | 一种高纯度氢氧化钾的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511932357.8 | 2025-12-19 | CN121757885A | 2026-03-31 | 彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪 |
| 13 | 一种半导体先进封装厚型负胶剥膜液及去胶方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511930972.5 | 2025-12-19 | CN121879070A | 2026-04-17 | 李少平、张演哲、欧阳克银、尉鹏 |
| 14 | 一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511931936.0 | 2025-12-19 | CN121874763A | 2026-04-17 | 秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕 |
| 15 | 一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511931440.3 | 2025-12-19 | CN121869470A | 2026-04-17 | 李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣 |
| 16 | 一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511930968.9 | 2025-12-19 | CN121879069A | 2026-04-17 | 张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏 |
| 17 | 一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511931925.2 | 2025-12-19 | CN121874762A | 2026-04-17 | 李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超 |
| 18 | 含苯和乙苯的电子级异丙醇废液回收方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511931950.0 | 2025-12-19 | CN121930071A | 2026-04-28 | 吴清鹏、刘尚文、杨着、贺兆波、叶瑞 |
| 19 | 一种基于有机体系的钼蚀刻液及其蚀刻方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511910702.8 | 2025-12-17 | CN121951538A | 2026-05-01 | 王震、冯凯、贺兆波、钟博文 |
| 20 | 一种萘酰亚胺类高纯电子级光致产酸剂的提纯方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511911777.8 | 2025-12-17 | CN121949206A | 2026-05-01 | 焦家龙、周钢翔、吴翔、李文飞 |
| 21 | 一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511901046.5 | 2025-12-16 | CN121851050A | 2026-04-14 | 王震、冯凯、贺兆波、钟博文 |
| 22 | 一种炭化树脂中元素含量的检测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511888861.2 | 2025-12-15 | CN121540696A | 2026-02-17 | 杨磊、曾远、贺兆波、李琴 |
| 23 | 一种可兼容多厚度铝/钼叠层蚀刻锥角的蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511888848.7 | 2025-12-15 | CN121914729A | 2026-04-24 | 叶瑞、雷康乐、张演哲、钟昌东、李文飞 |
| 24 | 一种二氧化硅和非晶氧化铟锡选择性蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511878487.8 | 2025-12-12 | CN121914730A | 2026-04-24 | 赵哲鹏、冯凯、谭小龙、严凡、叶瑞 |
| 25 | 一种高纯红磷中痕量杂质检测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511868003.1 | 2025-12-11 | CN121762666A | 2026-03-31 | 曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波 |
| 26 | 一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511859439.4 | 2025-12-10 | CN121855989A | 2026-04-14 | 李少平、万富强、杨着、贺兆波 |
| 27 | 一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511859494.3 | 2025-12-10 | CN121856458A | 2026-04-14 | 谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞 |
| 28 | 一种电子级二乙氧基甲基硅烷中微量水分的检测前处理方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511859490.5 | 2025-12-10 | CN121933323A | 2026-04-28 | 万富强、杨着、贺兆波、李锐峰、侯建鑫 |
| 29 | 一种硅表面清洗剂及其制备方法与应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511849707.4 | 2025-12-09 | CN121930923A | 2026-04-28 | 杨俊伟、尹印 |
| 30 | 一种基于Visio的湿电子化学品质量控制系统构建方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511849573.6 | 2025-12-09 | CN121961307A | 2026-05-01 | 叶瑞、陈柳、欧阳克银、刘兴荣 |
| 31 | 一种适用于RDL工艺的剥膜液 | 发明专利 | 公布 | CN202511840165.4 | 2025-12-08 | CN121657383A | 2026-03-13 | 郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍 |
| 32 | 一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511828947.6 | 2025-12-05 | CN121781231A | 2026-04-03 | 李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超 |
| 33 | 先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511828953.1 | 2025-12-05 | CN121802493A | 2026-04-07 | 李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超 |
| 34 | 一种有机体系中酸和酸铵含量的近红外检测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511829422.4 | 2025-12-05 | CN121954908A | 2026-05-01 | 李少平、汪凡杰、王亮、谢建 |
| 35 | 一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511820210.X | 2025-12-04 | CN121592351A | 2026-03-03 | 余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东 |
| 36 | 一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511820211.4 | 2025-12-04 | CN121780172A | 2026-04-03 | 许真、张庭、贺兆波、李金航 |
| 37 | 一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511810667.2 | 2025-12-03 | CN121703460A | 2026-03-20 | 黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银 |
| 38 | 一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511801501.4 | 2025-12-02 | CN121852056A | 2026-04-14 | 钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍 |
| 39 | 一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511801652.X | 2025-12-02 | CN121850908A | 2026-04-14 | 黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔 |
| 40 | 一种低电阻硅蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511801693.9 | 2025-12-02 | CN121852057A | 2026-04-14 | 叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波 |
| 41 | 一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511801389.4 | 2025-12-02 | CN121852055A | 2026-04-14 | 叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽 |
| 42 | 一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511792309.3 | 2025-12-01 | CN121762665A | 2026-03-31 | 李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊 |
| 43 | 一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511792514.X | 2025-12-01 | CN121802395A | 2026-04-07 | 王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕 |
| 44 | 一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511792228.3 | 2025-12-01 | CN121802420A | 2026-04-07 | 钟博文、冯凯、王震、叶瑞 |
| 45 | 一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511792510.1 | 2025-12-01 | CN121869237A | 2026-04-17 | 张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞 |
| 46 | 一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用 | 发明专利 | 公布 | CN202511782213.9 | 2025-11-29 | CN121653659A | 2026-03-13 | 张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东 |
| 47 | 长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511782122.5 | 2025-11-29 | CN121736760A | 2026-03-27 | 李金航、张庭、罗海燕、刘春丽 |
| 48 | 一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511782209.2 | 2025-11-29 | CN121736761A | 2026-03-27 | 杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪 |
| 49 | 一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511782118.9 | 2025-11-29 | CN121736759A | 2026-03-27 | 马瑞、尹印、余迪、臧洋 |
| 50 | 一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511779494.2 | 2025-11-28 | CN121732518A | 2026-03-27 | 陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰 |
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